[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置，阵列基板上包括多个薄膜晶体管，所述方法包括形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤，包括：依次形成用于制作有源层的半导体薄膜和用于制作源极和漏极的金属薄膜，形成金属薄膜的金属材料能够使用第一刻蚀方法或第二刻蚀方法进行刻蚀，形成半导体薄膜的半导体材料仅能使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的第一刻蚀方法进行刻蚀；采用第一刻蚀方法同时刻蚀掉预定形成薄膜晶体管的第一区域之外的半导体薄膜和金属薄膜；采用第二刻蚀方法对保留的金属薄膜进行刻蚀处理，形成源极和漏极。本发明能够简化阵列基板制作过程中制作源极、漏极和有源层的工艺流程，进而提高TFT的生产能力。

主权项

一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板上包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤，所述形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和有源层的步骤具体包括：依次形成用于制作所述有源层的半导体薄膜和用于制作源极和漏极的金属薄膜，其中，形成所述金属薄膜的金属材料能够使用第一刻蚀方法或第二刻蚀方法进行刻蚀，形成所述半导体薄膜的半导体材料仅能使用第一刻蚀方法和第二刻蚀方法中的第一刻蚀方法进行刻蚀；采用第一刻蚀方法同时刻蚀掉预定形成所述薄膜晶体管的第一区域之外的所述半导体薄膜和金属薄膜；采用第二刻蚀方法对保留的所述金属薄膜进行刻蚀处理，形成所述源极和漏极。