[发明专利]一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法有效
| 申请号： | 201310712946.6 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103647012B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 梁萌;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 晶圆级 封装 芯片 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括如下步骤：步骤1：在LED外延片上，通过芯片工艺制作LED的单元器件；单元器件之间存在隔离槽，相互隔离；步骤2：选择单元器件阵列的部分，在其上制作金属层，作为键合时的中间金属层；制作有中间金属层的单元器件阵列构成待键合单元器件阵列，所述的中间金属层是Au层或者AuSn合金层，厚度为1‑3微米；步骤3：在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应；步骤4：通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；步骤5：采用激光剥离的方式，对选择剥离的LED单元器件依次进行剥离，使得外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列，完成LED芯片转移。
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