[发明专利]LED芯片制作方法无效
| 申请号： | 201310703714.4 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103633205A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李忠武;魏天使;何金霞 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明公开了一种LED芯片制作方法，包括：提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；在LED晶圆上沉积ITO透明导电层；使用光刻胶对ITO透明导电层进行MESA光刻，形成MESA图层；对ITO透明导电层进行ITO刻蚀；对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面；去除MESA光刻后的光刻胶；在ITO透明导电层和N型半导体台面上沉积钝化层；使用光刻胶对钝化层进行PAD光刻，形成PAD图层；对PAD图层进行钝化层刻蚀，去除PAD图层区域的钝化层；在刻蚀掉的钝化层上制作P电极和N电极；去除PAD光刻后的光刻胶。本发明能实现光刻自对准功能，同时缩短了芯片加工流程、减少芯片加工成本，并且加大了ITO出光面积，增加了芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；S2、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层；S3、使用光刻胶对ITO透明导电层进行MESA光刻，在光刻胶层上形成MESA图层；S4、以MESA图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀；S5、以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面；S6、去除MESA光刻后的光刻胶，露出下方的ITO透明导电层；S7、在ITO透明导电层和N型半导体台面上沉积钝化层；S8、使用光刻胶对钝化层进行PAD光刻，在光刻胶层上形成PAD图层；S9、对PAD图层进行钝化层刻蚀，去除PAD图层区域的钝化层；S10、在刻蚀掉的钝化层上制作P电极和N电极；S11、去除PAD光刻后的光刻胶。
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