[发明专利]一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR

摘要

发明涉及半导体器件技术，具体的说是涉及一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR。本发明的一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR，包括P型衬底（1），所述P型衬底1中设置有第一N阱注入区2和P阱注入区4，其特征在于，还包括第二N阱注入区3，所述第二N阱注入区3设置在第二N+型注入区12的下端面，并分别与第二N+型注入区12和P阱注入区4连接。本发明的有益效果为，能有效提高维持电压和降低触发电压，在芯片不上电的情况下拥有较低的触发电压和较强的电流泄放能力，又能在芯片上电后自动提高其维持电压以防止闩锁效应对电路带来的影响，从而对芯片进行动态保护，同时本发明的结构与传统工艺兼容，无需添加额外的掩膜版，成本不会增加。

主权项

一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR，包括P型衬底（1），所述P型衬底（1）中设置有第一N阱注入区（2）和P阱注入区（4），所述第一N阱注入区（2）中设置有相互独立的第一N+型注入区（11）和第一P+型注入区（21），所述第一N阱注入区（2）的上端面设置有阳极金属电极（51），所述阳极金属电极（51）与第一N+型注入区（11）和第一P+型注入区（21）连接，所述第一N阱注入区（2）和P阱注入区（4）之间设置有第二N+型注入区（12），所述第二N+型注入区（12）与P阱注入区（4）连接，所述第二N+型注入区（12）的上端面设置有控制端金属电极（52），所述第二N+型注入区（12）与第一P+型注入区（21）之间的设置有第一厚场氧区（31），所述P阱注入区（4）中设置有相互独立的第三N+型注入区（13）和第二P+型注入区（22），所述P阱注入区（4）的上端面设置有阴极金属电极（53），所述阴极金属电极（53）与第三N+型注入区（13）和第二P+型注入区（22）连接，所述第二N+型注入区（12）与第三N+型注入区（13）之间的P阱注入区（4）的上端面设置有第一薄氧化区（32），所述第一薄氧化区（32）的上端面设置有多晶硅电极（41），其特征在于，还包括第二N阱注入区（3），所述第二N阱注入区（3）设置在第二N+型注入区（12）的下端面，并分别与第二N+型注入区（12）和P阱注入区（4）连接。