[发明专利]提高感光密度的光敏器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种提高感光密度的光敏器件及其制造方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）提供衬底，在衬底上热氧化SiO2形成第一氧化层，第一氧化层的厚度为800～1000nm；（2）在第一氧化层上涂布光刻胶，并选择性掩蔽和腐蚀光刻胶，在第一氧化层上形成刻蚀窗口，腐蚀刻蚀窗口，露出刻蚀窗口底部相对应的衬底，从而在第一氧化层上得到凹槽；（3）在凹槽底部的衬底上热氧化SiO2形成第二氧化层，第二氧化层的厚度为10～40nm；（4）在第一氧化层和第二氧化层上淀积多晶硅层，并采用POCl3对多晶硅层进行掺杂；（5）对多晶硅层进行等离子体反应刻蚀，在凹槽底部的衬底上得到凹凸不平的光敏面。本发明提高了光敏面的感光密度，降低了芯片尺寸，从而节约成本。

主权项

一种提高感光密度的光敏器件，包括衬底（1），衬底（1）上表面设置第一氧化层（2），其特征是：在所述第一氧化层（2）上设置凹槽（6），凹槽（6）由第一氧化层（2）的上表面延伸至衬底（1）的上表面；在所述凹槽（6）底部的衬底（1）上刻蚀形成光敏面（5），光敏面（5）为凹凸面。