[发明专利]一种ZnO基薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310696318.3 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103710675A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;江庆军;袁禹亮;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的ZnO基薄膜，在ZnO基薄膜中镶嵌有ZnO基纳米片，ZnO基薄膜及ZnO基纳米片的化学式均为Zn1-xMxO，M=Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20，纳米片直径在1~5um。制备步骤包括：按化学式Zn1-xMxO计量比称取纯ZnO粉末和纯M氧化物粉末，制成ZnO基陶瓷靶材；用磁控溅射法在衬底上沉积ZnO基薄膜，然后放入腐蚀剂中腐蚀，腐蚀液沿着晶界定向腐蚀后在ZnO：Al薄膜表面形成了ZnO：Al纳米片。由于ZnO基纳米片具有较大的比表面积，因此对光、气体、有机物等具有良好的响应。本发明制备工艺简单、重复性好、易于操作、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO基薄膜，其特征是ZnO基薄膜中镶嵌有ZnO基纳米片，ZnO基薄膜及ZnO基纳米片的化学式均为Zn1‑xMxO ，M = Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20，纳米片直径在1 ~ 5 um。
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