[发明专利]一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器有效
申请号: | 201310690674.4 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103701411A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 刘佳欣;文光俊;王耀 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 宋敏 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器,包括基准源、电容充放电电路、第一比较器、第二比较器和SR锁存器;所述基准源的基准电流与电容充放电电路连接,基准源的基准电压分别与第一比较器的同相输入端和第二比较器的同相输入端连接;第一比较器的反相输入端和第二比较器的反相输入端,分别与电容充放电电路连接;第一比较器的输出端与SR锁存器的R端连接,第二比较器的输出端与SR锁存器的S端连接。本发明所述具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器,可以克服现有技术中成本高、可靠性低和工艺偏差大等缺陷,以实现成本低、可靠性高和工艺偏差小的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 温度 工艺 补偿 特性 cmos 松弛 振荡器 | ||
【主权项】:
1.一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器,其特征在于,包括基准源、电容充放电电路、第一比较器、第二比较器和SR锁存器;所述基准源的基准电流
与电容充放电电路连接,基准源的基准电压
分别与第一比较器的同相输入端和第二比较器的同相输入端连接;第一比较器的反相输入端和第二比较器的反相输入端,分别与电容充放电电路连接;第一比较器的输出端与SR锁存器的R端连接,第二比较器的输出端与SR锁存器的S端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司,未经电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310690674.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种声光漂浮聚鱼器
- 下一篇:一种低压控制柜进线结构保护座夹紧部结构