[发明专利]一种锗酸铋单晶体的生长方法有效
| 申请号： | 201310688548.5 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103695994A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 胡智向;朱刘;文崇斌;罗涛 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/32 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;李志强 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法，该方法以Bi2O3与GeO2为原料，在超声振动、恒温的环境下进行化合反应，得到组分均一、熔融状态的锗酸铋多晶料，然后采用布里奇曼晶体生长法制备锗酸铋单晶体。本发明通过在生长坩埚部分使用超声波传感技术一步法来实现生长锗酸铋单晶体，该方法省去了传统下降法生长锗酸铋单晶体过程中利用铂坩埚熔融合成多晶料的环节，简化了锗酸铋单晶体的生长工艺，缩短了生产周期，且大大减少了贵金属铂的用量，从而降低了生产成本，同时，本发明生长方法还避免了生产过程中外界杂质元素的介入，进一步提高了锗酸铋晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗酸铋 单晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种锗酸铋单晶体的生长方法，该方法以Bi2O3与GeO2原料，在超声振动、恒温环境中进行化合反应，采用布里奇曼晶体生长法生长，得到锗酸铋单晶体。
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