[发明专利]电极片及其制备方法、超级电容器有效
| 申请号： | 201310687553.4 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103714978A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙蓉;姜红;于淑会;符显珠;郭慧子 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01G11/36 | 分类号： | H01G11/36;H01G11/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极片，包括钛片和二氧化钛纳米管阵列复合物；所述二氧化钛纳米管阵列复合物包括生长在所述钛片上的二氧化钛纳米管阵列以及沉积在所述二氧化钛纳米管阵列上的导电聚合物；所述导电聚合物沉积在所述二氧化钛纳米管阵列的纳米管的内外壁上并且不将所述纳米管的管孔全部堵住。这种电极片的导电聚合物沉积在二氧化钛纳米管阵列的纳米管的内外壁上，形成核壳结构的二氧化钛纳米管阵列复合物，导电聚合物电导率高，从而使得这种电极片的电子导电率较高。本发明还公开了上述电极片的制备方法，以及采用该电极片的超级电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 及其 制备 方法 超级 电容器 | ||
【主权项】：
一种电极片，其特征在于，包括钛片和二氧化钛纳米管阵列复合物；所述二氧化钛纳米管阵列复合物包括生长在所述钛片上的二氧化钛纳米管阵列以及沉积在所述二氧化钛纳米管阵列上的导电聚合物；所述二氧化钛纳米管阵列复合物的管长为200nm～10μm，管径为50nm～500nm，管厚为10nm～100nm；所述二氧化钛纳米管阵列的管长为100nm～5μm，管径为10nm～300nm，管厚为5nm～20nm；所述导电聚合物沉积在所述二氧化钛纳米管阵列的纳米管的内外壁上并且不将所述纳米管的管孔全部堵住。
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