[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310685135.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103872134A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金洸洙;徐范锡;郑仁和;朴志贤;朴在勋 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：主体区域，具有第一导电性；阱区，形成在主体区域的上部中，并且具有第二导电性；以及导电通过件，形成在主体区域中，同时穿过所述阱区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：主体区域，具有第一导电性；阱区，形成在主体区域的上部中，并且具有第二导电性；以及导电通过件，形成在主体区域中，同时穿过所述阱区。
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