[发明专利]一种改善钒酸钇晶体内部质量的方法无效
| 申请号： | 201310674244.3 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103668457A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 曾宪林;陈伟;王昌运 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 福建省福州市鼓楼区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善钒酸钇晶体内部质量的方法。在YVO4和Nd:YVO4钇晶体生长时，添加少量的钒酸镥（LuVO4）化合物，由于Lu3+离子半径0.085nm比Y3+离子半径0.0893nm略小，Lu3+离子进入晶格后填补Y3+缺失产生的空位和间隙，缓和了晶格畸变，减少了小角晶界的形成，从而改善钒酸钇（Nd3+:YVO4，YVO4）晶体的内部光学均匀性。本方法生长工艺简单，不增加晶体生长成本，易得到内应力小的高质量、大尺寸的Nd3+:YVO4和YVO4晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 钒酸钇 晶体 内部 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种改善钒酸钇晶体内部质量的方法，选用高质量无缺陷的钒酸钇籽晶接种，采用“缩颈”工艺放肩生长，整个生长过程包括升温化料、籽晶预热、接种、升温缩颈、放肩拉直、生长结束、降温退火，其特征在于：采用液相合成方法分别制作YVO4，Nd:YVO4及LuVO4原料，在钒酸钇晶体生长时，添加少量的LuVO4化合物。
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