[发明专利]一种粗金丝键合方法有效
| 申请号： | 201310669384.1 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103824786A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王斌;李红伟;刘金现 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种粗金丝键合方法，步骤1：设置焊具键合端面采用槽型结构，并且槽边缘应具有圆角形结构；步骤2：将长度加工好的金丝放置到薄膜电路基片的焊盘处；步骤3：将薄膜电路基片连同金丝一起放置到150℃加热台上加热，同时打开键合设备，焊具用加热线圈进行加热，加热温度150℃，加热稳定后进行键合；步骤4：键合时采用手工键合方式，施加压力进行键合，以使金丝变形到预定范围。采用上述方案，解决了铜丝与镀金薄膜电路基片锡焊互联时因“金脆”现象的存在而引起的可靠性下降问题，同时减小了铜丝与镀金薄膜电路基片锡焊互联带来的“接触电势差”对电气性能指标的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金丝 方法 | ||
【主权项】：
一种粗金丝键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：设置焊具键合端面采用槽型结构，并且槽边缘应具有圆角形结构；步骤2：将长度加工好的金丝放置到薄膜电路基片的焊盘处；步骤3：将薄膜电路基片连同金丝一起放置到150℃加热台上加热，同时打开键合设备，焊具用加热线圈进行加热，加热温度150℃，加热稳定后进行键合；步骤4：键合时采用手工键合方式，施加压力进行键合，以使金丝变形到预定范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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