[发明专利]用于稳压电源芯片的软启动电路有效

专利信息
申请号: 201310643899.4 申请日: 2013-12-01
公开(公告)号: CN103631303A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 来新泉;王涛;邵丽丽;刘晨 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于稳压电源芯片的软启动电路,主要解决现有的软启动电路占用芯片面积大、额外增加功率消耗的问题。其包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3;该PMOS管M1的源极接电源VDD,栅极接控制信号ONX,漏极接第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的栅极;该第一NMOS管M2的源极接地,栅极接基准电压VREF;该第二NMOS管M3的源极接地,漏极接基准电压VREF。高电平控制信号ONX关断PMOS管M1,使其漏极电压缓慢降低,削弱第二NMOS管M3的导通能力,进而使其对基准电压VREF的短路作用减弱,实现基准电压VREF从零缓慢上升到预设值。本发明延长了基准电压VREF的建立时间,使其与稳压电源芯片的输出电压VOUT同步建立,有效地抑制了稳压电源芯片启动过程中的浪涌电流。
搜索关键词: 用于 稳压电源 芯片 启动 电路
【主权项】:
一种应用于稳压电源芯片的软启动电路,其特征在于包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3;所述PMOS管M1,其源极接电源VDD,其栅极接外部控制信号ONX,其漏极分别接到第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的栅极;所述第一NMOS管M2,其源极接地,其栅极接基准电压VREF;所述第二NMOS管M3,其源极接地,其漏极接基准电压VREF。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310643899.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top