[发明专利]用于稳压电源芯片的软启动电路有效
申请号: | 201310643899.4 | 申请日: | 2013-12-01 |
公开(公告)号: | CN103631303A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 来新泉;王涛;邵丽丽;刘晨 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 发明公开了一种用于稳压电源芯片的软启动电路,主要解决现有的软启动电路占用芯片面积大、额外增加功率消耗的问题。其包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3;该PMOS管M1的源极接电源VDD,栅极接控制信号ONX,漏极接第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的栅极;该第一NMOS管M2的源极接地,栅极接基准电压VREF;该第二NMOS管M3的源极接地,漏极接基准电压VREF。高电平控制信号ONX关断PMOS管M1,使其漏极电压缓慢降低,削弱第二NMOS管M3的导通能力,进而使其对基准电压VREF的短路作用减弱,实现基准电压VREF从零缓慢上升到预设值。本发明延长了基准电压VREF的建立时间,使其与稳压电源芯片的输出电压VOUT同步建立,有效地抑制了稳压电源芯片启动过程中的浪涌电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 稳压电源 芯片 启动 电路 | ||
【主权项】:
一种应用于稳压电源芯片的软启动电路,其特征在于包括一个PMOS管M1和两个NMOS管M2、M3;所述PMOS管M1,其源极接电源VDD,其栅极接外部控制信号ONX,其漏极分别接到第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的栅极;所述第一NMOS管M2,其源极接地,其栅极接基准电压VREF;所述第二NMOS管M3,其源极接地,其漏极接基准电压VREF。
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