[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201310636441.6 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103603044A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李均;李杨;周忠祥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～500K，可用在无铅压电铁电器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 富铌掺锂钽铌酸钾单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
富铌掺锂钽铌酸钾单晶，其特征在于富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1‑xNbxO3，其中x=0.50～0.90，该富铌掺锂钽铌酸钾单晶在室温下是四方钙钛矿型晶体结构。
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