[发明专利]一种制作多晶硅栅的方法无效
| 申请号： | 201310632141.0 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103646863A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李志伟;邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作多晶硅栅的工艺方法，包括如下步骤：在形成有PWELL和/或NWELL的半导体衬底上生长一层栅氧化介质层，接着在栅氧化介质层，生长一层多晶硅层；通过离子注入方式对多晶硅层进行表面掺杂工艺；其中，NMOS器件注入N型掺杂杂质，PMOS器件注入P型掺杂杂质；采用多晶硅蚀刻工艺在已掺杂所述多晶硅层上形成多晶硅栅；采用原子氧氧化工艺氧化所述多晶硅栅，在多晶硅栅表面形成一层致密氧化层。因此，本发明利用原子氧氧化工艺消除因掺杂工艺导致多晶硅氧化速率不一致效应，解决因传统多晶硅氧化工艺导致多晶硅栅上部与底部宽度不一致问题，即从而达到改善多晶硅栅形貌的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种制作多晶硅栅的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S11：在形成有PWELL和/或NWELL的半导体衬底上生长一层栅氧化介质层，接着在所述栅氧化介质层，生长一层多晶硅层；步骤S12：通过离子注入方式对所述多晶硅层进行表面掺杂工艺；其中，NMOS器件注入N型掺杂杂质，PMOS器件注入P型掺杂杂质；步骤S13：采用多晶硅蚀刻工艺在已掺杂多晶硅层上形成多晶硅栅；步骤S14：采用原子氧氧化工艺氧化所述多晶硅栅，在所述多晶硅栅表面形成一层致密氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
