[发明专利]晶圆缺陷检测方法有效
申请号: | 201310630277.8 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103646893A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;范荣伟;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:逐次移动晶圆,对晶圆各芯片区以第一扫描分辨率进行第一次缺陷检测;根据第一次缺陷检测获得的缺陷分布信息将晶圆表面划分为多个检测区,并为每个检测区分别设定一缺陷数量阈值,缺陷数量阈值与对应的检测区的缺陷数量成正相关关系;逐次移动晶圆,以第二扫描分辨率分别对各检测区进行第二次缺陷检测;其中,第二扫描分辨率低于第一扫描分辨率;若任一检测区缺陷数量超出其对应的缺陷数量阈值,则对该晶圆进行缺陷修复工艺。其提高了晶圆缺陷检测方法在实际工艺中的适用性,显著提高了缺陷识别率以及工艺效率,其精度高、实现成本低、利于在行业领域内推广。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:a)、逐次移动晶圆,对晶圆各芯片区以第一扫描分辨率进行第一次缺陷检测;b)、根据所述第一次缺陷检测获得的缺陷分布信息将所述晶圆表面划分为多个检测区,并为每个所述检测区分别设定一缺陷数量阈值,所述缺陷数量阈值与对应的所述检测区的缺陷数量成正相关关系;c)、逐次移动所述晶圆,以第二扫描分辨率分别对各检测区进行第二次缺陷检测;其中,所述第二扫描分辨率低于所述第一扫描分辨率;d)、若任一所述检测区缺陷数量超出其对应的缺陷数量阈值,则对该晶圆进行缺陷修复工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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