[发明专利]离子注入角度监控方法

摘要

本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；进行数据测量，建立电阻值—注入角度特征曲线，并确定监控参考角度，将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。本发明能够对离子注入过程中晶片的偏转角度进行准确的监控。

主权项

一种离子注入角度监控方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶片；在上述晶片中，利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理，其中所述注入角度为离子注入过程中所述晶片偏转的角度；在以每一注入角度进行离子注入和快速热退火处理之后，均进行数据测量，获得所述不同注入角度下的晶片电阻值，建立电阻值—注入角度特征曲线；根据所述电阻值—注入角度特征曲线的斜率确定监控参考角度，其中在所述监控参考角度处电阻值对于角度变化最敏感；并将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；将所测量的晶片电阻值减去所述监控参考角度对应的晶片电阻值得到一差值；以及将该差值与所述监控参考角度对应的晶片电阻值相比得到离子注入角度的偏差，所述离子注入角度的偏差与晶片的偏转程度成正比、与所述离子注入角度的准确性成反比。