[发明专利]消除炉管负载效应的半导体制造方法在审
| 申请号： | 201310625679.9 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103646861A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层-氮化层-氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述产品晶圆和控制晶圆之间及所述产品晶圆和虚拟晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。本发明所述消除炉管负载效应的半导体制造方法消除了在同一批次的栅氧工艺中控制晶圆或虚拟晶圆对产品晶圆产生的负载效应，避免不同的产品晶圆上栅氧厚度出现差异，进而降低了不同产品晶圆上形成的产品的电性偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 炉管 负载 效应 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层‑氮化层‑氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述控制晶圆和与所述控制晶圆下方最临近的所述产品晶圆之间、以及设置于所述虚拟晶圆和与所述虚拟晶圆下方最临近的所述产品晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
