[发明专利]一种含有双背场结构的太阳电池有效
| 申请号： | 201310614542.3 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103579388B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宏波;张建琴;李欣益;张玮;周大勇;孙利杰;陈开建 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,贾慧琴 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有双背场结构的太阳电池，该太阳电池为双背场结构；基区厚度为100~500nm，双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm。基区采用GaInP，双背场结构中一个背场采用Al0.13GaInP，另一个背场采用Al0.25GaInP。或者基区采用Al0.13GaInP，双背场结构中一个背场采用Al0.20GaInP，另一个背场采用采用Al0.25GaInP。本发明提供的含有双背场结构的太阳电池，能解决宽带隙太阳电池中的背场材料选择问题，提升背场的钝化效果，改善载流子的迁移率和有效寿命，为多结高效太阳电池的研制提高了保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 双背场 结构 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种含有双背场结构的太阳电池，其特征在于，该太阳电池为双背场结构；基区厚度为100~500nm，双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm；所述的基区采用Al0.13GaInP，所述的双背场结构，其中一个背场采用Al0.20GaInP，另一个背场采用Al0.25GaInP。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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