[发明专利]在铜基导电结构上形成石墨衬垫及/或顶盖层的方法无效
| 申请号： | 201310611892.4 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103839883A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | E·T·瑞安;Z·克里沃卡皮克;张洵渊;C·维特;何铭;L·赵 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在铜基导电结构上形成石墨衬垫及/或顶盖层的方法，本发明的一种例示的方法包括在绝缘材料层中形成沟槽/通孔、至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层、在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层、在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔、以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量，从而定义铜基导电结构，其具有设于该铜基导电结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 形成 石墨 衬垫 盖层 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在绝缘材料层中形成沟槽/通孔；至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层；在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层；在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔；以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量，从而定义铜基导电结构，该铜基导电结构具有设于该铜基导电结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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