[发明专利]气相阴离子交换合成氧化锌/硒化锌同轴纳米结构的方法无效
| 申请号： | 201310603658.7 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103613115A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杜希文;王琰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相阴离子交换合成ZnO/ZnSe同轴纳米结构的方法，先将载有ZnO种子层的基片放于30mL含有0.05M Zn(NO3)2,0.05M HMT（次六甲基四胺）混合溶液中，置于反应釜中100℃下保温9h，得到白色物质ZnO纳米棒；再将ZnO纳米棒放于真空管式炉的炉腔中部，另将装有1.58g Se粉瓷舟放入真空管式炉的炉腔末端，抽真空至1.37kPa，加热至600℃，待反应结束后自然冷却，制得ZnO/ZnSe同轴纳米棒阵列。本发明ZnO/ZnSe同轴纳米棒结晶性良好，操作方法简单，是一种新的模板气相阴离子交换法合成ZnO/ZnSe同轴纳米棒材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阴离子 交换 合成 氧化锌 硒化锌 同轴 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种气相阴离子交换合成ZnO/ZnSe同轴纳米结构的方法，具有如下步骤： （1）将载有ZnO种子层的基片放于30mL含有0.05M Zn(NO3)2,与0.05M HMT即次六甲基四胺的混合溶液中，置于反应釜中100℃下保温9h，得到白色物质ZnO纳米棒基片； （2）将步骤（1）的ZnO纳米棒基片放于真空管式炉的炉腔中部，再将装有1.58g Se粉瓷舟放入真空管式炉的炉腔末端，抽真空至1.37kPa，加热至600℃保温60min，待反应结束后自然冷却，制得黄色物质ZnO/ZnSe纳米棒阵列。
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