[发明专利]一种等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201310597934.3 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103646841A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 邵克坚;冯翔 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀设备，该设备包括反应腔体、盖板、静电吸附盘、悬臂以及分子泵；所述盖板位于所述反应腔体的顶部，且在该盖板的中心区域设置有气体喷嘴；所述静电吸附盘悬浮于所述反应腔体内部；所述悬臂的一端固定于所述反应腔体的内侧壁，另一端与所述静电吸附盘的侧壁相连接，且所述悬臂上设置有若干个于竖直方向贯穿该悬臂的孔洞；所述分子泵位于所述反应腔体的下方。本发明通过在现有的悬臂上增加一定数量的通孔，增加了气体的均匀性，从而改善了局部气流速度偏慢的现状，进而避免了晶圆表面的刻蚀速率的不均匀性，并最终提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述设备包括反应腔体、盖板、静电吸附盘、悬臂以及分子泵；所述盖板位于所述反应腔体的顶部，且在该盖板的中心区域设置有气体喷嘴；所述静电吸附盘悬浮于所述反应腔体内部，并通过所述悬臂的支撑作用而水平悬浮于所述反应腔体中；所述悬臂的一端固定于所述反应腔体的内侧壁，所述悬臂的另一端与所述静电吸附盘的侧壁相连接，且所述悬臂上设置有若干个于竖直方向贯穿该悬臂的孔洞；所述分子泵位于所述反应腔体的下方。
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