[发明专利]一种制备CIGS薄膜的前驱层CIG的多步溅射工艺

摘要

本发明公开了一种制备CIGS薄膜的前驱层CIG的多步溅射工艺的方法，采用磁控溅射设备在普通基板玻璃上，采用金属靶材Mo溅射背电极Mo层、合金靶材CuGa和InCu溅射CIG前驱层、蒸发涂布Se，热处理Cu、Ga、In、Se四种元素结晶得到高性能的光电薄膜CIGS。所述溅射CIG前驱层，是采用合金靶材InCu替换金属In溅射沉积，结合CuGa靶材进行双合金靶材共溅射方法或者交替多层溅射方法制备，其中核心合金靶材CuIn、CuGa比例是：Cu：Ga的比例是30:70—90:10之间，In与Cu的比例是90:10—98:2之间，靶材合金化合物存在的形式可以是：InCu、In2Cu、InCu2。通过本发明从而避免In溅射出现nodlue、In氧化和打火问题，导致溅射速率低，CIG薄膜出现黑点、针孔、溅射不稳定的现象。

主权项

一种用于制备CIGS薄膜的前驱层CIG的的方法，其特征在于：采用磁控溅射设备在普通基板玻璃上，采用金属靶材Mo溅射背电极Mo层、合金靶材CuGa和InCu溅射CIG前驱层、蒸发涂布Se层，热处理Cu、Ga、In、Se四种元素结晶得到高性能的光电薄膜CIGS，所述溅射CIG前驱层，是采用合金靶材InCu替换金属In溅射沉积，结合CuGa靶材进行双合金靶材共溅射方法或者交替多层溅射方法制备，从而避免In溅射出现nodlue和打火问题，导致CIG薄膜出现黑点、针孔、溅射不稳定的现象。