[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置包含基板、第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管。第一氮化镓场效晶体管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管为耗尽型场效晶体管。第二氮化镓场效晶体管置于基板上。第二氮化镓场效晶体管为增强型场效晶体管。氮化镓二极管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管皆置于基板的同一侧并互相电性连接。

主权项

一种半导体装置，包含：一基板；一第一氮化镓场效晶体管，置于该基板上，其中该第一氮化镓场效晶体管为一耗尽型场效晶体管；一第二氮化镓场效晶体管，置于该基板上，其中该第二氮化镓场效晶体管为一增强型场效晶体管；以及一氮化镓二极管，置于该基板上，其中该第一氮化镓场效晶体管、该第二氮化镓场效晶体管与该氮化镓二极管皆置于该基板的同一侧并互相电性连接；其中该第二氮化镓场效晶体管包含：一异质结构层，置于该基板上，该异质结构层包含多个氮化物半导体层以及至少一二维电子气沟道于其中，且该异质结构层具有一凹槽；其中位于该凹槽下方的二维电子气会被中断；其中该异质结构层具有一倾斜部；一源极与一漏极，互相分离设置，且分别电性连接至该二维电子气沟道；以及一栅极，置于该源极与该漏极之间，其中至少部分的该栅极置于该异质结构层的倾斜部上。