[发明专利]酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 201310584755.6 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN104646064A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 李志刚 申请(专利权)人: 李志刚
主分类号: B01J31/38 分类号: B01J31/38
代理公司: 代理人:
地址: 110179 辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法属于化工技术领域,具体的说,本发明涉及酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法。本发明提供一种酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法。本发明的酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法,其特征在于:在TiO2溶胶30-50g中加入0.4-1.5g的CuPcTs,并在90-100℃,压强为6-8MPa的水浴中搅拌4-6h,即制得CuPcTs-TiO2溶胶;以普通载玻片为涂膜基底,预先在浓硫酸与高锰酸钾的混合水溶液1000-1500mL中,加压至10-12MPa,50-70℃条件下,超声波振荡清洗20-25min,再用去离子水清洗,烘干即得酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜。
搜索关键词: 酞菁敏化混晶二 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜制备方法,其特征在于:在TiO2溶胶30‑50g中加入0.4‑1.5g的CuPcTs,并在90‑100℃,压强为6‑8MPa的水浴中搅拌4‑6h,即制得CuPcTs‑TiO2溶胶;以普通载玻片为涂膜基底,预先在浓硫酸与高锰酸钾的混合水溶液1000‑1500mL中,加压至10‑12MPa,50‑70℃条件下,超声波振荡清洗20‑25min,再用去离子水清洗,烘干即得酞菁敏化混晶二氧化钛薄膜。
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