[发明专利]旋涂工艺的增厚阶段有效
申请号: | 201310582709.2 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104051259A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 张浚威;林佳洁;王志谦;莫忘本;谢弘璋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/3105;G03F7/16 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地,为了增加光刻胶的厚度,在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如,在增厚阶段期间,增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素,这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式,可以以相对较低的速度旋转晶圆,同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。 | ||
搜索关键词: | 工艺 阶段 | ||
【主权项】:
一种用于执行与晶圆相关的旋涂工艺的系统,包括:分配站,被配置为:在材料分配阶段期间将材料分配到所述晶圆的表面上;旋转设备,被配置为:在所述材料分配阶段期间旋转所述晶圆;增厚站,包括:热量设备,被配置为:根据第一增厚阶段热量设置来增加热量,在增厚阶段的加热部分期间基本朝着所述晶圆的底部提供所述热量;以及EBR站,被配置为:将溶剂分配到所述晶圆上以从所述晶圆移除部分所述材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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