[发明专利]一种石墨烯场效应光晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开的石墨烯场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层石墨烯层，n=1-2、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从石墨烯晶体上剥离的石墨烯层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在石墨烯层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的石墨烯层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。

主权项

一种石墨烯场效应光晶体管，其特征在于自下而上依次有Si层（1）和SiO2层（2）的Si/SiO2复合晶片、n层石墨烯层（3），n=1‑2、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极（4）、在两块金电极（4）之间有CdSe量子点层（5），CdSe量子点层（5）中的CdSe量子点的直径为3‑8nm。