[发明专利]一种红外光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310579131.5 申请日: 2013-11-18
公开(公告)号: CN103681897A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 梁爽;王胜;魏楠;彭练矛 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 邵可声
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器包括一衬底,在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜,所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器件;其中,所述光学微腔的腔态密度最大处与所述半导体碳纳米材料光电器件的工作区重合,且对于同一波长的红外光,通过所述下光程差补偿层的光程与通过所述上光程差补偿层的光程相等或相差半波长整数倍。本发明提高了对红外弱光的探测能力,微腔加工工艺简单、快捷;可应用于碳管电路光电器件的互联,或者碳管与硅集成电路片上互联,执行通讯波段红外光的探测与响应。
搜索关键词: 一种 红外 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种红外光电探测器,其特征在于包括一衬底,在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜,所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器件;其中,所述光学微腔的腔态密度最大处与所述半导体碳纳米材料光电器件的工作区重合,且对于同一波长的红外光,通过所述下光程差补偿层的光程与通过所述上光程差补偿层的光程相等或相差半波长整数倍。
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