[发明专利]硅通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310572277.7 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104637867A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;许颂临;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复执行的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，其特征在于：所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
