[发明专利]CMOS图像传感器的孔洞中金属丢失的解决方法在审
| 申请号： | 201310567485.8 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637865A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 牟睿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器的孔洞中金属丢失的解决方法，包括：设定反应腔室温度为20℃～50℃，在所述反应腔室中执行工艺：在孔洞中形成Ti/TiN层；设定反应腔室温度为250℃～300℃，在所述反应腔室中执行工艺：去除所述Ti/TiN层表面的杂质；设定反应腔室温度为250℃～300℃，在所述反应腔室中执行工艺：在所述Ti/TiN层上形成铝金属层。通过先在温度为250℃～300℃的反应腔室中执行去除Ti/TiN层表面的杂质的工艺，相当于为后续的铝金属层形成工艺做了一个预热的工序，由此再在温度为250℃～300℃的反应腔室中形成铝金属层时，能够避免形成铝金属层时的温差过大，从而使得所形成的铝金属层可靠性高，并进而避免了孔洞中金属丢失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 孔洞 金属 丢失 解决方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的孔洞中金属丢失的解决方法，其特征在于，包括：设定反应腔室温度为20℃～50℃，在所述反应腔室中执行工艺：在孔洞中形成Ti/TiN层；设定反应腔室温度为250℃～300℃，在所述反应腔室中执行工艺：去除所述Ti/TiN层表面的杂质；设定反应腔室温度为250℃～300℃，在所述反应腔室中执行工艺：在所述Ti/TiN层上形成铝金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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