[发明专利]一种单晶硅片单面制绒的方法在审
| 申请号： | 201310566233.3 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103972325A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周波轩;蔡文斌;徐苏凡;林涛;武敏莉 | 申请（专利权）人： | 睿纳能源科技（上海）有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新区芳*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅片单面制绒的方法。所述方法包括如下步骤：a）在单晶硅片的单侧表面沉积一层二氧化硅膜；b）在前述沉积了二氧化硅膜的单晶硅片上进行碱制绒，由于该单晶硅片的单侧表面上有前述二氧化硅膜的掩蔽，因此实现该单晶硅片的另一侧表面上的制绒。本发明用简单的沉积技术和常规的单晶硅碱制绒工艺即可实现单晶硅片的单面制绒。相对于单晶硅片的常规双面碱制绒，本发明实现了单面制绒，这极大的降低了不必要的硅片损耗和制绒液化学品损耗。并且，相对于其他已公开的单晶硅片单面制绒工艺，本发明用于实现单晶硅片单面制绒的工艺简单、化学品易购买，克服了反应离子刻蚀法和漂浮法的成本过高、叠片法的效率过低等缺陷，具有很好的实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 单面 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片单面制绒的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：a）、在单晶硅片的单侧表面沉积一层二氧化硅膜；b）、在前述沉积了二氧化硅膜的单晶硅片上进行碱制绒，由于该单晶硅片的单侧表面上有前述二氧化硅膜的掩蔽，因此实现该单晶硅片的另一侧表面上的制绒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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