[发明专利]一种高亮度发光二极管的多量子阱结构有效
| 申请号： | 201310562955.1 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103594573A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李淼;游桥明;沈志强 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度发光二极管的多量子阱结构，以实现器件整体性能的提升。该多量子阱结构的四个多量子阱层中，第一多量子阱层的量子阱禁带宽度最小，第二多量子阱层的量子阱禁带宽度最大，第三和第四多量子阱层的量子阱禁带宽度介于第一多量子阱层与第二多量子阱层的量子阱禁带宽度之间；第四多量子阱层的量子垒禁带宽度比其他多量子阱层的量子垒禁带宽度小但大于第四量子阱层的量子阱禁带宽度。本发明的多量子阱结构设计对于各方面的优化结果对于电子空穴的注入效率，迁移速度，浓度分布和复合位置等均有明显改善，进而对器件的整体性能有了较大的提升效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 多量 结构 | ||
【主权项】：
一种高亮度发光二极管的多量子阱结构，依次包括第一多量子阱层，第二多量子阱层，第三多量子阱层和第四多量子阱层，其中的第一多量子阱层靠近N型层一侧，第四多量子阱靠近P型层一侧；其特征在于：在这四个多量子阱层中，第一多量子阱层的量子阱禁带宽度最小，第二多量子阱层的量子阱禁带宽度最大，第三和第四多量子阱层的量子阱禁带宽度介于第一多量子阱层与第二多量子阱层的量子阱禁带宽度之间；第四多量子阱层的量子垒禁带宽度比其他多量子阱层的量子垒禁带宽度小但大于第四量子阱层的量子阱禁带宽度。
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