[发明专利]一种半导体电容器有效
| 申请号： | 201310557141.9 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103594525A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张翠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电容器，其包括衬底，衬底上依次具有第一金属电极层、第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层、第二金属电极层；第一引出电极，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层并穿入第一金属电极层的一部分形成；第一引出电极隔离，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层形成，从而实现对第一引出电极的电隔离；第二引出电极，其穿入第二金属电极层的一部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电容器 | ||
【主权项】：
一种半导体电容器，其特征在于：所述半导体电容器的结构为两层金属电极之间具有多层绝缘层。
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