[发明专利]硅通孔工艺方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔工艺方法，与有源器件的工艺相集成，是在硅片上有源器件制作完成之后，先在硅片上淀积一层金属前介质；然后对硅通孔区域进行刻蚀，然后形成氧化层及淀积钛和氮化钛，再淀积一层金属钨；回刻并再淀积第二层金属钨；进行接触孔刻蚀及金属互连工艺；背面减薄。该方法在不改变现有工艺方法和流程的基础上实现了硅通孔工艺的集成，降低了器件的电阻和电感，提高了RF产品的性能。

主权项

一种硅通孔工艺方法，是与有源器件工艺相集成，其特征在于：包含如下的步骤：步骤一，硅片上完成有源器件的制作之后，在硅片上淀积一层金属前介质层，该介质层厚度取决于有源器件和无源器件的高度；步骤二，利用光刻定义出硅通孔区域，依次刻蚀所述硅通孔区域的金属前介质层和硅片，形成深沟槽或孔；步骤三，整个硅片表面形成氧化层，深沟槽或孔的侧壁和底部同步形成氧化层；步骤四，淀积一层钛和氮化钛；所述钛和氮化钛同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；步骤五，在所述钛和氮化钛上淀积第一层钨，所述第一层钨不将深沟槽或孔填满；步骤六，对所述第一层钨进行回刻；步骤七，在形成有所述第一层钨的深沟槽或孔侧壁和底部中淀积第二层钨，所述第二层钨将所述深沟槽或孔填满；所述第二层钨同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；步骤八，对由所述第一层钨和所述第二层钨组成的钨层进行回刻或化学机械研磨；步骤九，接触孔刻蚀及正面金属互连完成之后，对所述硅片的背面进行减薄，从所述深沟槽或孔的底部将填充于所述深沟槽或孔中的所述钛和氮化钛、所述第一层钨和第二层钨露出；步骤十，硅片的背面进行金属淀积并制作背面金属图形，与沟槽或孔中的金属钨形成电性连接。