[发明专利]保护装置以及相关制作方法

摘要

提供了保护装置结构和相关的制作方法。示例保护装置包括第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管。所述第一双极结型晶体管的集电极电耦合。所述第一齐纳二极管的阴极耦合于所述第一双极结型晶体管的集电极以及所述第一齐纳二极管的阳极耦合于所述第一双极结型晶体管的基极。所述第二齐纳二极管的阴极耦合于所述第二双极结型晶体管的集电极以及所述第二齐纳二极管的阳极耦合于所述第二双极结型晶体管的基极。在示例实施例中，所述第一双极结型晶体管的基极和发射极在第一接口处耦合以及所述第二双极结型晶体管的基极和发射极在第二接口处耦合。

主权项

一种保护电路，包括：具有第一集电极、第一发射极、以及第一基极的第一双极结型晶体管；具有第二集电极、第二发射极、以及第二基极的第二双极结型晶体管，所述第二集电极耦合于所述第一集电极；具有第一阴极和第一阳极的第一二极管，所述第一阴极耦合于所述第一集电极以及所述第一阳极耦合于所述第一基极；以及具有第二阴极和第二阳极的第二二极管，所述第二阴极耦合于所述第二集电极以及所述第二阳极耦合于所述第二基极；其中所述第二阴极包含具有第一导电型半导体材料的阴极区域；所述第二阳极包含具有第二导电型半导体材料的阳极区域；在所述阴极区域和所述阳极区域之间的间隔距离提供在第一极性方向上的非快速中断行为。