[发明专利]一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法在审
申请号: | 201310550091.1 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN103579418A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王玉林 | 申请(专利权)人: | 中电电气(扬州)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 王玉霞 |
地址: | 211400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法,包括以下步骤:(1)在第一导电类型的电池衬底正面形成陷光机构;(2)对电池衬底的正面进行第二导电类型的掺杂;(3)在电池衬底的正面沉积减反射层;(4)在电池衬底背面上方设置掩膜板;(5)在电池衬底背面形成背面钝化介质层,形成背面钝化介质层同时形成背面无钝化介质层的裸露区域;(6)在电池衬底的背面和正面形成电极图形,然后通过高温烧结的方式形成电极金属与硅的欧姆接触。本发明能消除背钝化太阳电池制备过程中激光开窗造成的损伤,提高背接触太阳电池的转换效率,并降低背钝化电池的制备成本和组件制备的碎片率风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 钝化 太阳电池 接触 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法,其特征是,所述制备方法包括以下步骤:(1)在第一导电类型的电池衬底正面形成陷光机构,陷光机构为单晶电池的绒面结构或者多晶电池的凹坑结构;(2)对所述电池衬底的正面进行第二导电类型的掺杂;(3)在所述电池衬底的正面沉积减反射层;(4)在所述电池衬底背面上方设置掩膜板,掩膜板形状与背面电极图形一致或者类似;(5)在所述电池衬底背面形成背面钝化介质层,形成背面钝化介质层同时形成背面无钝化介质层的裸露区域,背面无钝化介质层的裸露区域形状类似背面电极图形,背面无钝化介质层的裸露区域与掩模板一致,背面无钝化介质层的裸露区域用于背面电极与衬底形成导电接触;(6)在所述电池衬底的背面和正面形成电极图形,然后通过高温烧结的方式形成电极金属与硅的欧姆接触,得到背面钝化太阳电池。
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