[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310548762.0 申请日: 2013-11-07
公开(公告)号: CN103594624A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 李杰;于军胜;施薇;祁一歌 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法,其结构包括衬底,栅电极,栅极绝缘层,有机半导体层,源电极和漏电极,所述有机半导体层加入有0.1%~1%的紫外敏感胶形成紫外敏感胶-有机半导体材料复合层。本发明解决了可溶性有机半导体材料成膜过程中晶粒大小难于精确控制的问题,达到了原位控制晶粒或多个晶粒聚集而成的岛状结构大小的目的,同时提高了有机场效应晶体管的空气稳定性,得到了高性能的有机场效应晶体管。
搜索关键词: 一种 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种有机场效应晶体管,其结构包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、有机半导体层,源电极和漏电极,其特征在于,所述有机半导体层加入有0.1%~1%的紫外敏感胶形成紫外敏感胶-有机半导体材料复合层,所述紫外敏感胶重量百分比组成为:
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