[发明专利]噁嗪环修饰的Fe3O4@SiO2磁性纳米微球及其制备方法与应用有效
申请号: | 201310547397.1 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103545077A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 张腾;贝逸翎;鲁在君 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01F1/11 | 分类号: | H01F1/11;H01F41/02;B01J13/14 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及了噁嗪环修饰的Fe3O4@SiO2磁性纳米微球及其制备方法与应用。采用水热法制备了粒径均匀、分散性好的Fe3O4磁性纳米微球;又通过溶胶凝胶法在Fe3O4表面包覆了一层致密的SiO2,制备了Fe3O4@SiO2磁性纳米微球;再次通过溶胶凝胶法在Fe3O4@SiO2磁性纳米微球的表面包覆一层含噁嗪环的硅烷偶联剂,从而制备了噁嗪环修饰的Fe3O4@SiO2磁性纳米微球。该磁性纳米微球在制备磁性高分子复合材料方面具有很大的应用前景,并在隐身材料、磁性存储材料方面具有潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 噁嗪环 修饰 fe sub sio 磁性 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
噁嗪环修饰的Fe3O4@SiO2磁性纳米微球,其特征在于该磁性纳米微球包括Fe3O4纳米微球、厚度为5~10nm的SiO2层和厚度为10~30nm的噁嗪环修饰层,所述的SiO2层均匀的包覆在Fe3O4纳米微球的外表面,所述的噁嗪环修饰层均匀的包覆在SiO2层的外表面。
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