[发明专利]保护半导体鳍不受侵蚀的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310545981.3 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811535A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | A.卡基菲鲁兹;T.N.亚当;程慷果;S.庞诺思;A.雷兹尼塞克;R.斯里尼瓦桑;蔡秀雨;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;格罗方德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 半导体 不受 侵蚀 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体鳍，设置在基板上；栅极电介质和栅极电极的栅极堆叠，所述栅极堆叠跨越所述半导体鳍的一部分；栅极间隙壁，横向围绕所述栅极堆叠；以及电介质金属化合物部分，接触所述半导体鳍的顶表面和侧壁表面、所述栅极堆叠的侧壁的至少一部分以及所述栅极间隙壁的底表面。
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