[发明专利]水热-蒸汽刻蚀法制备多孔硅的方法

摘要

本发明涉及一种水热-蒸汽刻蚀法制备多孔硅的方法，步骤包括：处理硅衬底、水热反应釜加热反应液、单晶硅片架在反应液上方、反应釜放入在130℃~190℃温度烤箱中反应，使反应液产生酸蒸汽，进而对反应液上方的硅片产生腐蚀，从而制得多孔硅，通过调节反应温度和时间，可获得稳定发射红光的多孔硅。该方法重复性好，制备的多孔硅样品具有发光面积大、发光稳定、发光强度大和表面光洁等优点。

主权项

1.一种水热-蒸汽刻蚀法制备多孔硅的方法，其特征在于按下述步骤制备：处理硅衬底，将切好的单晶硅片依次用丙酮和无水乙醇超声清洗10min以去除表面油污，再用由硫酸和双氧水按3:1的体积比混合而成的混合液煮沸5min，以去除表面氧化层，然后再依次用丙酮和无水乙醇超声清洗10min，最后用蒸馏水冲洗晾干备用；将由氢氟酸、蒸馏水和硝酸按23：19：1的体积比混合而成的反应液注入到高压釜内衬里，填充度在70%~90%；用支架将清洗过的单晶硅片架在反应液上方2mm~8mm；将安装好的反应釜放入烤箱中，在130℃~190℃温度范围，保温40~80min，取出反应釜，用自来水冲洗降至室温；从水热反应釜中取出样品，用蒸馏水反复冲洗干净，然后在空气中室温下自然晾干。