[发明专利]晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201310542215.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104517920A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 沈建树;王晔晔;张春艳;黄小花;戴青;陆明;廖建亚;朱琳;张良;范俊 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法，该晶圆级芯片TSV封装结构包括若干个芯片单元，相邻两个芯片单元之间形成切割道；每个芯片单元包括硅基材层和晶圆氧化层，位于芯片单元四周的晶圆氧化层中设有若干个金属芯片引脚即PIN脚，在每个芯片单元的硅基材层上对应其每个PIN脚位置处分别开设一贯通该硅基材层的孔状开口使PIN脚部分外露。该晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法通过在芯片PIN脚上方硅层开设底部直径小于PIN脚的最小边长的圆孔，露出部分PIN脚，避免直接将芯片PIN脚表面硅全部去除时对PIN脚某些电路造成的损伤，从而保证晶圆级芯片CIS封装的质量；同时也可以避免由于既开槽又开孔造成的硅表面积的浪费，为后续的工艺设计提供便利。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 tsv 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片TSV封装结构，包括若干个芯片单元（1），相邻两个芯片单元之间形成切割道（12）；每个所述芯片单元包括硅基材层（2）和设于该硅基材层（2）下方的晶圆氧化层（3），位于所述芯片单元四周的晶圆氧化层（3）中设有若干个金属芯片引脚即PIN脚（4），其特征在于：在每个芯片单元的硅基材层（2）上对应其每个PIN脚（4）位置处分别开设一贯通该硅基材层的孔状开口（5）使所述PIN脚部分外露。
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