[发明专利]芯片与静电放电保护组件及其制造方法

摘要

本发明提供一种芯片与静电放电保护组件及其制造方法，静电放电保护组件包括N型阱、P型掺杂区、第一N型掺杂区、多个N型子掺杂区、第一N+型掺杂区、第一P+型掺杂区、第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N型掺杂区配置于P型掺杂区中。多个N型子掺杂区并列配置于P型掺杂区中。第一N+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第一P+型掺杂区配置于第一N型掺杂区中。第二N+型掺杂区配置于P型掺杂区中。第二P+型掺杂区配置于P型掺杂区中。

主权项

一种静电放电保护组件，其特征在于，该静电放电保护组件包括：一N型阱；一P型掺杂区，配置于该N型阱中；一第一N型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；多个N型子掺杂区，并列配置于该P型掺杂区中，所述多个N型子掺杂区与该第一N型掺杂区不接触，并且所述多个N型子掺杂区电性连接一第一电源轨线；一第一N+型掺杂区，配置于该第一N型掺杂区中；一第一P+型掺杂区，配置于该第一N型掺杂区中，其中该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区用以电性连接一焊垫；一第二N+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；以及一第二P+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中，其中该第二P+型掺杂区与该第二N+型掺杂区电性连接一第二电源轨线，其中所述多个N型子掺杂区配置在该第一N型掺杂区与该第二N+型掺杂区之间。