[发明专利]带有由二极管电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及制造方法

摘要

本发明涉及带有由二极管电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及制造方法。提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电类型和衬底顶表面；埋层，位于所述衬底顶表面下，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；下沉区域，位于所述衬底顶表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成;有源器件，位于所述隔离结构所包含的半导体衬底部分内，其中所述有源器件包括所述第二导电类型的体区，其中所述体区和所述隔离结构通过具有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分隔开，以及二极管电路，连接在所述隔离结构和所述体区之间。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电类型和衬底顶表面；埋层，位于所述衬底顶表面下，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；下沉区域，位于所述衬底顶表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成；有源区域，位于所述隔离结构所包含的半导体衬底部分内，其中所述有源区域包括所述第二导电类型的体区，其中所述体区和所述隔离结构通过具有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分隔开，以及二极管电路，连接在所述隔离结构和所述体区之间，所述二极管电路包括肖特基二极管，形成与所述隔离结构耦合的肖特基接触；所述第一导电类型的第一附加区域，延伸到所述下沉区域中并且在所述下沉区域的内壁处部分地穿过所述下沉区域；以及所述第一导电类型的第二附加区域，延伸到所述下沉区域中并且在所述下沉区域的外壁处部分地穿过所述下沉区域，其中所述下沉区域的一部分存在于所述第一附加区域和所述第二附加区域之间的衬底顶表面处，并且其中所述二极管电路包括所述肖特基二极管、形成于所述第一附加区域和所述下沉区域之间的第一PN结二极管、以及形成于所述第二附加区域和所述下沉区域之间的第二PN结二极管。