[发明专利]用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法有效
| 申请号： | 201310538055.3 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103603051A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 叶瑾琳;廖世蓉 | 申请（专利权）人： | 叶瑾琳;廖世蓉 |
| 主分类号： | C30B31/16 | 分类号： | C30B31/16;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 游富英 |
| 地址： | 210042 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法。通过扩散控制装置，使扩散源由点变成了和半导体样品平行的面，相当于使扩散源到样品每个区的距离一样，并可控制浓度高低和扩散深度，以在半导体制造过程中控制扩散通量；使扩散浓度和深度的均匀性大大提高，源材料在半导体样品里浓度均匀分布，从而大大提高样品的整体均匀性和成品率。由于扩散控制装置及其扩散路径离扩散源（源材料）很近，源材料一经挥发，扩散控制装置先起阻挡作用，使得扩散控制装置的下表面迅速被源材料均匀充满，再经过扩散路径重新分配，均匀到达样品各个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 过程 中的 扩散 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体制造过程中的扩散室，其特征在于包括：源材料；半导体样品，其中所述样品具有一个或多个源材料掺杂扩散区；承载样品的载体；扩散控制装置；其中所述扩散室中的源材料在真空条件下进行加热和蒸发，并穿过用于控制源材料通量的扩散控制装置，这样所述源材料在所述样品上方的扩散区内浓度均匀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于叶瑾琳;廖世蓉，未经叶瑾琳;廖世蓉许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310538055.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
