[发明专利]密封体及密封体的制造方法有效
申请号: | 201310534882.5 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103811528B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 中村太纪;窪田勇介;西户祐典 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G02F1/1339 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种密封体,该密封体是使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体。一种密封体,其中在相对的两个衬底之间至少设置有布线层,该两个衬底由作为材料包含玻璃粉的密封层密封,并且在布线层与密封层重叠的区域中选择性地形成金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的反射膜以抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。 | ||
搜索关键词: | 密封 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种密封体,其特征在于,包括:设置有布线层和晶体管的第一衬底;设置有金属层的第二衬底;以及粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层,其中,所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述金属层、所述布线层、所述密封层互相重叠,所述金属层透射激光,所述布线层对透过所述金属层本身的激光进行反射,并且,所述金属层接触于所述密封层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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