[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310533220.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104599957A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 袁理 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子；在所述沟槽底部和内壁形成钝化层。本发明的技术方案提供的半导体器件获得较高的击穿电压，实现了基于硅衬底的三五族化合物器件的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子；在所述沟槽底部和内壁形成钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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