[发明专利]变容二极管、电器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310531351.0 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103811562A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | G.贝蒂内希;J.迪特尔;R.派希尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是变容二极管、电器件及其制造方法。电器件包括半导体材料。所述半导体材料包括：具有第一导电型的所述半导体材料的第一区域；具有与所述第一导电型互补的第二导电型的所述半导体材料的第二区域；以及所述第一区域与所述第二区域之间的所述半导体材料的中间区域。所述第一区域和所述第二区域经由所述中间区域位于彼此邻接以致形成二极管结构。所述中间区域的形状从所述第一区域到所述第二区域逐渐变细。 | ||
| 搜索关键词： | 变容二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括半导体材料的电器件，所述电器件包括：具有第一导电型的所述半导体材料的第一区域；具有与所述第一导电型互补的第二导电型的所述半导体材料的第二区域；以及所述第一区域与所述第二区域之间的所述半导体材料的中间区域，使得所述第一区域和所述第二区域经由所述中间区域位于彼此邻接以致形成二极管结构，其中所述中间区域的形状从所述第一区域到所述第二区域逐渐变细。
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