[发明专利]P型掺杂薄膜、及其制备方法、有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310530151.3 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN104600210A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;钟铁涛;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种P型掺杂薄膜及其制备方法,包括如下步骤:真空蒸镀主体材料在衬底表面形成第一主体层;将P型掺杂剂溶液旋涂到第一主体层上,干燥后形成P型掺杂层;真空蒸镀主体材料在P型掺杂层上形成第二主体层,得到P型掺杂薄膜半成品;对P型掺杂薄膜半成品进行加热处理,得到P型掺杂薄膜。这种P型掺杂薄膜的制备方法,通过制备第一主体层、P型掺杂剂层和第二主体层的夹层结构,通过热处理使得掺杂剂渗透进入主体材料中,形成P型掺杂薄膜。这种P型掺杂薄膜的制备方法适合制备性能稳定的低浓度掺杂的P型掺杂薄膜。本发明还提供一种有机电致发光器件及其制备方法。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 薄膜 及其 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
【主权项】:
一种P型掺杂薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;在真空镀膜系统中,真空蒸镀主体材料在所述衬底表面形成第一主体层;提供P型掺杂剂溶液,并且将所述P型掺杂剂溶液旋涂到所述第一主体层上,最后在保护气体氛围下干燥,得到形成于所述第一主体层上的P型掺杂层;在真空镀膜系统中,真空蒸镀所述主体材料在所述P型掺杂层上形成第二主体层,得到P型掺杂薄膜半成品;将所述P型掺杂薄膜半成品在所述保护气体氛围下,升温至所述主体材料的玻璃化转变温度并保温10min~30min,最后降温至室温,得到P型掺杂薄膜,其中,所述主体材料为N,N'‑二苯基‑N,N'‑二(1‑萘基)‑1,1'‑联苯‑4,4'‑二胺、4,4',4″‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺、N,N'‑二苯基‑N,N'‑二(3‑甲基苯基)‑1,1'‑联苯‑4,4'‑二胺或N,N,N',N’‑四甲氧基苯基)‑对二氨基联苯,所述P型掺杂剂溶液的溶质为2,3,5,6‑四氟‑7,7’,8,8’‑四氰醌‑二甲烷、1,3,4,5,7,8‑六氟‑四氰‑二甲对萘醌或2,2'‑(2,5‑二氰基‑3,6‑二氟环己烷‑2,5‑二烯‑1,4‑二亚基)二丙二腈,所述P型掺杂剂溶液的溶剂为二氯甲烷,甲苯,三氯甲烷或四氢呋喃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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