[发明专利]一种具有W型有源区结构的带间级联激光器有效
| 申请号： | 201310529303.8 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103545713A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张宇;邢军亮;徐应强;任正伟;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源区由InAs／AlSb电子注入区、InAs／AlSb空穴注入区和InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs W型量子阱组成。本发明是把W型有源区结构(InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs)和带间级联激光器结构结合而形成的。本发明公开的这种带间级联激光器，通过增加有源区内电子、空穴波函数交叠，从而提高有源区增益和激光器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 有源 结构 级联 激光器 | ||
【主权项】：
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器，其特征在于：该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。
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