[发明专利]一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统无效

专利信息
申请号: 201310525017.4 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN103532017A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 刘兴胜;刘晖;王敏;宋涛 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/06
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710119 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统,该系统包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵,两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行,在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体,所述的双折射晶体对o光透射,对e光折射;在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片,该二分之一玻片能够将e光旋转成o光,使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射,第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。本发明结构简明,体积小,能够实现高功率多波长的输出;选用偏振态一致的半导体激光器叠阵,加工方便,实现成本较低。
搜索关键词: 一种 波长 千瓦 半导体 激光 加工 光源 系统
【主权项】:
一种多波长千瓦级半导体激光加工光源系统,其特征在于:包括两个均发出e光但波长不同的半导体激光器叠阵,两个半导体激光器叠阵的出光面平齐或平行,在这两个半导体激光器叠阵整体的出光方向设置有双折射晶体,所述的双折射晶体对o光透射,对e光折射;在第一半导体激光器叠阵与双折射晶体之间上设置有二分之一玻片,该二分之一玻片能够将e光旋转成o光,使得第一半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体透射,第二半导体激光器叠阵的激光经双折射晶体发生双折射后与第一半导体激光器叠阵的激光合束。
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